فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها



گروه تخصصی









متن کامل


اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    19
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    21-30
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    17
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

1عملکرد مبدل های دیجیتال به آنالوگ هدایت جریانی، بخاطر عدم انطباق طول و عرض ترانزیستورها و اختلاف ولتاژ آستانه و ولتاژ ارلی آنها که ناشی از خطای پروسه ساخت است، محدود می گردد. هر چند روش های مختلفی برای تعدیل خطاهای ناشی از عدم انطباق المانها وجود دارد، اما این خطا به طور کامل قابل حذف نیست. در این مقاله تکنیک ترانزیستورهای MOS توزیع شده با قابلیت تسهیل پیاده سازی تطبیق پویای عناصر در مبدل دیجیتال به آنالوگ باینری ارائه شده است به نحوی که بدون نیاز به توان مصرفی بالا و پیچیدگی مداری زیاد امکان کاهش خطای ناشی از عدم انطباق ترانزیستورها و نیز خطای ناشی از تغییرات ولتاژ بار را فراهم آورده است. این تکنیک بر مبنای انتخاب تصادفی از میان تعداد معینی از بلوک های جریان واحد عمل می کند، برای تصادفی تر کردن هر چه بیشترکد تولیدی از یک مولد کد تصادفی و تمام جمع کننده به همراه رمزگشای 4 به 16 استفاده شده است. این تکنیک در ساختار مبدل دیجیتال به آنالوگ 10 بیتی باینری با تکنولوژی 180 نانو متر CMOS پیاده سازی شده است، جریان LSB 500 نانوآمپر و ولتاژ تغذیه 8/1 ولت و توان مصرفی این مبدل mW6/14 و شاخص SFDR مبدل با شبیه سازی تحت نرم افزار Cadence Spectre  27/60 دسیبل به دست آمده است.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 17

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نویسندگان: 

Noori e.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2023
  • دوره: 

    3
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    23-33
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    30
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

Many remote diagnostics systems rely on transmission and reflection of electromagnetic waves. In diagnostics facilities such as microwave reflectometers which operate in the cut-off frequency range, collisionality of the plasma can affect the transmission and reflection characteristics of the electromagnetic wave. In this paper, plasma Mismatching and reflection properties of microwave propagation through partially ionized, uniform, and cold plasma were studied. Using the simplified Lorentz model of the plasma and associated dispersion relation of electromagnetic wave propagation through collisional, cold plasma, propagation characteristics of the electromagnetic waves were investigated in different collisional regimes of single-interface and double-interface, bounded plasma. It was found that in the cut-off frequency range, the propagation coefficients of the electromagnetic wave can be significantly affected depending on the collision frequency of the plasma. It was also found that in the double-interface case, the thickness of the plasma can cause multiple reflections in the plasma slab, and such reflections can be suppressed in the high-loss collisional regime

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 30

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1994
  • دوره: 

    60
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    90-107
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    142
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 142

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
نویسندگان: 

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2018
  • دوره: 

    39
  • شماره: 

    10
  • صفحات: 

    1497-1499
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    89
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 89

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نشریه: 

حسابداری مالی

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1397
  • دوره: 

    10
  • شماره: 

    38
  • صفحات: 

    113-139
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    642
  • دانلود: 

    344
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 642

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 344 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
نشریه: 

TRANSPLANTATION

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1999
  • دوره: 

    67
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    321-327
تعامل: 
  • استنادات: 

    1
  • بازدید: 

    122
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 122

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 1 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1402
  • دوره: 

    12
  • شماره: 

    46
  • صفحات: 

    441-458
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    48
  • دانلود: 

    8
چکیده: 

از دیدگاه اقتصادی، کسب درآمد پایدار برای دولت ها موضوعی اساسی است. دولت ها سعی می کنند تا مخارج خود را از محل درآمدهای مالیاتی تامین کنند. از دیدگاه سیاسی_اجتماعی نیزبه عنوان شاخص پایداری اجتماعی و امنیت سیاسی در نظر گرفته می شود. همزمانی وصول مالیات از مودیان با ارائه خدمات از جانب دولت از اهداف دولت ها می-باشد. شرکت ها طی مراحل مختلف حیات تقارن زمانی دریافت خدمات و توان پرداخت مالیات متفاوتی را دارند. لذا، هدف پژوهش حاضر بررسی ارزیابی همزمانی مالیات با عدم تطابق هزینه ها طی چرخه عمر شرکت ها می باشد. برای آزمون فرضیه ها از اطلاعات 88 شرکت پذیرفته شده در بورس اوراق بهادار تهران در بازه زمانی سال های بین 1396-1390 استفاده شده است. نتایج نشان می دهد که بین عدم تطابق هزینه ها با درآمد در مرحله رشد و افول ارتباط معناداری وجود دارد و همزمانی مالیات طی چرخه عمر و در مرحله رشد و بلوغ شرکت ها تفاوت معناداری دارد. سایر نتایج بیانگر آن بود که همزمانی مالیاتی شرکت های رشدی با درجه کم عدم تطبیق در هزینه ها بیشتر از درجه زیاد عدم تطبیق در هزینه ها است و بین درآمد مشمول مالیات شرکت ها در مرحله بلوغ با درجه کم عدم تطبیق در هزینه-ها و همزمانی مالیات، رابطه منفی و معناداری وجود داشت.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 48

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 8 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2014
  • دوره: 

    20
تعامل: 
  • بازدید: 

    170
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

IN THIS STUDY, FOR THE FIRST TIME, WE INTRODUCE A SIMPLE AND LOW COST PH SENSOR BASED ON A COMMERCIAL FIELD EFFECT transistor (FET). THE transistor WAS MECHANICALLY TREATED, ISOLATED AND USED AS AN ION SENSITIVE FIELD EFFECT transistor (ISFET) [1] FOR PH DETECTION, AFTER ELECTRODEPOSITION OF THE SENSING MEMBRANE ON ITS SURFACE. POLYPYRROLE, AS A SUITABLE SENSING MEMBRANE, WAS ELECTRODEPOSITED ON THE OF transistor FROM A SOLUTION CONTAINING PYRROLE MONOMER, HYDROQUINONE MONOSULFONATE [2] AS A PROPER LIGAND AND SODIUM SALICYLATE FOR AVOIDING THE SUBSTRATE OXIDATION, UNDER A TWO-STEP DEPOSITION CONDITIONS. THE PREPARED SENSOR SHOWED A NEAR-NERNSTIAN RESPONSE OF 52.3 MV PH-1 OVER A LINEAR PH RANGE OF 2.75-12.20, AN ULTRA LOW HYSTERESIS OF 0.56 MV, A VERY LOW DRIFT OF 0.14 MV H-1 AND A LOW RESPONSE TIME OF LESS THAN 8 S.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 170

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0
نویسندگان: 

Kamali Moghaddam Mohammad | Koushki Ehsan

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2024
  • دوره: 

    4
  • شماره: 

    2
  • صفحات: 

    109-114
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    5
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

The distance between conduction and valence bands which is known as bandgap energy is an important factor for semiconductors and is different in various materials. The bandgap energy determines the electrical and optical properties of semiconductors and has a direct effect on the performance of diodes and transistors. In this article, the effect of bandgap energy of the channel region of a npn transistor has been investigated and its effects on capacitance and conductivity, threshold voltage, and the Ion-Ioff ratio were studied. An npn transistor is designed and then the bandgap energy is changed between 0.8 eV and 2.2 eV with a step of 0.2 eV, and subthreshold slope and other electrical quantities have been obtained numerically. By comparing the results, the best performance of the transistor can be obtained. This simulation was done with Silvaco Atlas software. This study can open new windows in design of transistor devices.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 5

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1401
  • دوره: 

    52
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    61-66
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    132
  • دانلود: 

    18
چکیده: 

High gain Balun-low-noise-amplifier (LNA) is proposed for tuner of digital televisions (DTVs). The proposed Balun-LNA is based on CS-CG (common-source-common-gate) structure. To improve the isolasion and frequency response, Balun-LNA has cascode transistors before load resistors. Balun-LNA uses current-bleeding circuit to increasie transconductance of CS transistor, so that current-bleeding transistor has transconductance of N-1 times larger than transconductance of cascode transistor. Thereby, transconductance and current of CS transistor are increased N times, as N-1 times of current pass to current-bleeding transistor. Therefore current of CG and CS stages stay identical. Also, Balun-LNA employs a positive feedback to satisfy input impedance matching and CG transistor has higher transconductance. By increasing transconductance of CS and CG transistors, the proposed Balun-LNA achieves to high voltage gain. Accordingly, CG and CS tansistors have symmetrical currents and loads at the differential output of the proposed Balun-LNA. Symmetrical loads cause the balanced differential outputs. This proposed Balun-LNA is designed in 90-nm CMOS technology and covers the frequency range of 40 MHz to 1GHz. This Balun-LNA achieves the voltage gain of 22.6 dB, S11 of less than -10 dB and the Minimum NF of 5 dB. This Balun-LNA operates at the nominal supply voltage of 2.2v.

شاخص‌های تعامل:   مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resources

بازدید 132

مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesدانلود 18 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesاستناد 0 مرکز اطلاعات علمی Scientific Information Database (SID) - Trusted Source for Research and Academic Resourcesمرجع 0
litScript
telegram sharing button
whatsapp sharing button
linkedin sharing button
twitter sharing button
email sharing button
email sharing button
email sharing button
sharethis sharing button